图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD50R380CEBTMA1 

产品描述

MOSFET COOL MOS

内部编号

173-IPD50R380CEBTMA1

#1

数量:2505
1+¥9.436
10+¥7.5898
100+¥5.8394
500+¥5.1556
1000+¥4.0684
2500+¥3.6308
10000+¥3.4736
最小起订量:1
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IPD50R380CEBTMA1产品详细规格

规格书 IPD50R380CEBTMA1 datasheet 规格书
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 9.9 A
系列 IPD50R380
RDS(ON) 0.38 Ohms
封装 Reel
功率耗散 73 W
商品名 CoolMOS
封装/外壳 DPAK-3
栅极电荷Qg 24.8 nC
典型关闭延迟时间 35 ns
零件号别名 SP000992080
上升时间 5.6 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 550 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.6 ns
工厂包装数量 2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
宽度 6.22 mm
Qg - Gate Charge 24.8 nC
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 14.1 A
长度 6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 350 mOhms
通道模式 Enhancement
身高 2.3 mm
典型导通延迟时间 7.2 ns
Pd - Power Dissipation 98 W
技术 Si

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